未来智能芯片-
塞贝克半导体效应
半导体物理奠基期（1821年） 温差发电、工业测温、热电制冷、导电关系、低功供电 -
法拉第半导体电阻效应
半导体物理奠基期（1833年） 材料分类、研究范式、热敏电阻、交叉融合、信息时代 -
贝克勒尔光伏效应
半导体物理奠基期（1839年） 发电方式、光电子学、硒太阳能、光伏产业、广泛赋能 -
布劳恩整流效应原理
半导体物理奠基期（1874年） 器件物理、晶体检波、无线通信、性能差异、真空主导 -
弗莱明真空二极管原理
半导体物理奠基期（1904年） 电子学科、有源器件、无线通信、电子工业、核心支撑 -
德福雷斯特三极管原理
半导体物理奠基期（1906年） 以小控大、信号放大、衍生核心、灵魂突破、电子黄金
-
威尔逊半导体能带原理
半导体物理奠基期（1831年） 微观物理、材料本质、可控秘密、半导工业、现代科技 -
贝尔实验室晶体管原理
半导体物理奠基期（1947年） 固态电子、流子输运、表面效应、数字时代、产业奇迹 -
肖克利结型晶体管原理
半导体物理奠基期（1948年） 单向导电、放大原理、开关思想、制造工艺、新兴产业 -
硅晶体管问世原理
集成电路诞生期（1954年） 先天材料、关键技术、集成电路、摩尔定律、产业体系 -
扩散工艺发明原理
集成电路诞生期（1955年） 工艺发明、工艺驱动、工艺流程、扩散工艺、光刻技术 -
基尔比集成电路原理
集成电路诞生期（1958年） 单片集成、小型轻量、低功耗级、驱动芯片、细分产业
-
赫尔尼平面工艺原理
集成电路诞生期（1959年） 攻克规模、量产瓶颈、晶圆标准、管漏电流、工艺基石 -
诺伊斯硅基集成电路原理
集成电路诞生期（1959年） 电气隔离、结构规范、专利体系、落地演进、芯片成型 -
MOS晶体管发明原理
集成电路诞生期（1960年） 核心器件、降低功耗、超高集成、简化芯片、赋能产业 -
仙童半导体电路原理
集成电路诞生期（1961年） 商用芯片、民用消费、封装体系、创业赛道、市场落地 -
TTL逻辑电路发明原理
集成电路诞生期（1962年） 逻辑规范、平面制程、控制电路、数字转型、演进脉络 -
CMOS技术概念原理
集成电路诞生期（1963年） 工艺架构、解决热耗、催生便携、稳定工作、关键技术
-
摩尔定律原理
集成电路诞生期（1965年） 产业顶层、发展纲领、成本指数、凝聚资本、资本投入 -
离子注入技术原理
规模化发展期（1966年） 纳米量级、必备工艺、射频芯片、降低废率、延续节奏 -
英特尔公司成立
规模化发展期（1968年） 存储产业、商用微器、自研设计、产业集聚、人才循环 -
NMOS工艺成熟原理
规模化发展期（1969年） 单片集成、光刻制造、迁移速率、通用产业、工艺成熟 -
英特尔4004微处理器
规模化发展期（1971年） 产业起点、小型电脑、嵌入应用、制程进步、电子产业 -
PMOS与NMOS互补技术
规模化发展期（1972年） 超低功耗、电池续航、提升稳定、高密集成、主流工艺
-
英特尔8080处理器原理
规模化发展期（1974年） 八位架构、个人计算、工控嵌入、软硬配套、量产落地 -
EEPROM技术发明原理
规模化发展期（1975年） 反复编程、断电保存、智能设备、闪存技术、在线升级 -
1微米工艺突破原理
规模化发展期（1976年） 规模集成、稳步提升、更高位数、同步优化、精细体系 -
英特尔8086处理器原理
规模化发展期（1978年） 经典架构、微产业化、加速普及、个人电脑、应用软件 -
CMOS工艺商业化原理
规模化发展期（1980年） 全面取代 、主流制造、数码产品、赋能智能、微米工艺 -
IBM PC推出原理
摩尔定律黄金期（1981年） 确立开放、规模商用、产业崛起、家庭市场、全民电脑
-
RISC架构提出原理
摩尔定律黄金期（1982年） 运算效率、结构简化、精简电路、分化赛道、快速迭代 -
1兆位DRAM量产原理
集成电路诞生期（1983年） 质的飞跃、架构革新、数字消费、带动产业、创新试验 -
英特尔386处理器
摩尔定律黄金期（1985年） 位数跃迁、解锁图形、复杂科学、绝对控制、工程仿真 -
台积电成立
摩尔定律黄金期（1986年） 分工范式、实现量产、工艺迭代、生命周期、数字经济 -
0.5微米工艺量产原理
摩尔定律黄金期（1989年） 跨越提升、优化功耗、芯片迭代、制程路线、大众市场 -
英特尔奔腾处理器
摩尔定律黄金期（1993年） 并行运算、音频图像、行业标杆、办公游戏、产业升级
-
铜互连技术研发原理
摩尔定律黄金期（1995年） 铝互连物、提升能源、布线密度、高度集成、降本降耗 -
低K介质材料应用原理
摩尔定律黄金期（1997年） 与铜互连、主频攀升、极限性能、动态功耗、缓解散热 -
0.18微米工艺量产原理
摩尔定律黄金期（1999年） 微米工艺、介质技术、互连技术、架构普及、数字经济 -
90纳米工艺研发原理
纳米时代与结构创新（2001年） 一亿晶体、分辨增强、并行计算、高集成化、晶圆代工 -
应变硅技术应用原理
纳米时代与结构创新（2003年） 光刻尺寸、开关速度、能效解决、应变硅术、催生创新 -
SOI绝缘体上硅技术
纳米时代与结构创新（2004年） 突破制程、释放性能、黄金工艺、特种领域、核心价值
-
45 纳米工艺量产
纳米时代与结构创新（2007年） 攻克漏电、消除耗尽、标配核心、计算潜能、移动互联 -
FinFET鳍式晶体管研发
纳米时代与结构创新（2008年） 攻克晶管、短沟效应、终极瓶颈、统治产业、先进架构 -
22纳米工艺量产
纳米时代与结构创新（2011年） 首次商用、终结平面、拯救摩尔、数级跃升、全球标准 -
三维集成电路技术
纳米时代与结构创新（2012年） 二维极限、三维攻克、赋能便携、异构集成、技术壁垒 -
14纳米工艺量产原理
纳米时代与结构创新（2014年） 光刻极限、性能能效、智能手机、电子升级、先进制程 -
芯片异构集成概念
纳米时代与结构创新（2015年） 芯片集成、经济极限、系统能效、智能深度、整体价值
-
EUV极紫外光刻技术
先进工艺与未来探索（2016年） 物理极限、代际跃迁、极高技术、新兴科技、大国博弈 -
7纳米工艺量产
先进工艺与未来探索（2018年） 量产跨越、能效突破、性能提升、全面赋能、集中效应 -
环绕栅极晶体管研发
先进工艺与未来探索（2019年） 节点逾越、栅控能力、率先实现 、灵活调整、技术竞赛 -
5纳米工艺量产
先进工艺与未来探索（2020年） 主导地位、核心痛点、规模普及、实时任务、绝对垄断 -
Chiplet芯粒技术兴起
先进工艺与未来探索（2021年） 第二曲线、工艺分层、迭代速度、计算架构、极致算力 -
3纳米工艺量产
先进工艺与未来探索（2022年） 先进芯片、算力底座、智能汽车、产业战略、竞争格局
